MOSFET Vishay, Doble N-Canal SQJQ936E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, PowerPAK (8x8L), Mejora de 4 pines, 4
- Código RS:
- 268-8368
- Referência do fabricante:
- SQJQ936E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
16,81 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1995 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,362 € | 16,81 € |
| 50 - 95 | 3,026 € | 15,13 € |
| 100 - 245 | 2,438 € | 12,19 € |
| 250 + | 2,39 € | 11,95 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8368
- Referência do fabricante:
- SQJQ936E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SQJQ936E | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 4 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 40 V | |
| Tensión directa Vf | 0V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Número de elementos por chip | 4 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SQJQ936E | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 4 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 40 V | ||
Tensión directa Vf 0V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Número de elementos por chip 4 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N doble de automoción TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y es independiente de la temperatura de funcionamiento.
Certificación AEC Q101
Conforme con ROHS
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Doble N-Canal SQJQ936E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 100 A, PowerPAK (8x8L), Mejora de 4 pines, 4
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ148E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 375 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ140E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 701 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQJQ130EL-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 445 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ142E-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 460 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ184EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 118 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ186E-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 245 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 445 A, Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines