MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ186ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 66 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- Código RS:
- 268-8364
- Referência do fabricante:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
846,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 27 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,282 € | 846,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8364
- Referência do fabricante:
- SQJ186ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SQJ | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8L | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.032Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 135W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SQJ | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8L | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.032Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 135W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo y sin halógenos. Se trata de un dispositivo de configuración simple que es independiente de la temperatura de funcionamiento.
Certificación AEC Q101
Conforme con ROHS
Probado por UIS al 100 por ciento
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ186ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 66 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQJ181ELP-T1_GE3, VDSS -80 V, ID -128 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ154EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 243 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ742EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 99 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SQJ742ELP-T1_GE3, VDSS 150 V, ID 98 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ136ELP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 243 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 350 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines