MOSFET, N-Canal Vishay SQJ186ELP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 66 A, Mejora, PowerPAK SO-8L de 4 pines

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Código RS:
268-8364
Referência do fabricante:
SQJ186ELP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

66A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Serie

SQJ

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.032Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

135W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

4.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de generación 4 de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo y sin halógenos. Se trata de un dispositivo de configuración simple que es independiente de la temperatura de funcionamiento.

Certificación AEC Q101

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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