MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3456CEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7.8 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 268-8353
- Referência do fabricante:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
11,35 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 3025 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,454 € | 11,35 € |
| 50 - 75 | 0,445 € | 11,13 € |
| 100 - 225 | 0,338 € | 8,45 € |
| 250 - 975 | 0,332 € | 8,30 € |
| 1000 + | 0,213 € | 5,33 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 268-8353
- Referência do fabricante:
- SQ3456CEV-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SQ | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.054Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SQ | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.054Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N TrenchFET de automoción de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos con MOSFET de configuración única y dispositivo de montaje superficial. Es independiente de la temperatura de funcionamiento.
Certificación AEC Q101
Conforme con ROHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3456CEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 7.8 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3426CEV-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3419EV-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 7.4 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3495EV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ3493EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ3460EV-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ3426CEEV-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 7 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3481CEV-T1_GE3, VDSS -30 V, ID 7.5 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines