MOSFET, N-Canal Vishay SIHH085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 268-8300
- Referência do fabricante:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 268-8300
- Referência do fabricante:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | SIHH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.085Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 184W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie SIHH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.085Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 184W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
MOSFET de la serie SIHH de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 30 A - SIHH085N60EF-T1GE3
Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de potencia de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para sistemas que requieren una tolerancia de tensión de drenaje-fuente robusta y un manejo de corriente continua considerable. El dispositivo cumple los requisitos RoHS y se suministra en un encapsulado compacto PowerPAK 8x8 para montaje en placa de perfil bajo.
Características y ventajas:
• Valor nominal de drenaje-fuente de 650 V para conmutación de tensión elevada
• Corriente de drenaje continua de 30 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 0.085 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación máxima de 184 W para un margen térmico de alta potencia
• Tolerancia de puerta de ±30 V para adaptarse a distintos niveles de accionamiento de puerta
• Carga de puerta de 63 nC que permite una energía de conmutación predecible
• Corriente de drenaje continua de 30 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 0.085 Ω para reducir las pérdidas por conducción
• Disipación máxima de 184 W para un margen térmico de alta potencia
• Tolerancia de puerta de ±30 V para adaptarse a distintos niveles de accionamiento de puerta
• Carga de puerta de 63 nC que permite una energía de conmutación predecible
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de alta tensión e inversores
• Ideal para etapas de conmutación frontales de accionamiento por motor
• Se utiliza con convertidores dc-dc que requieren un manejo de alta potencia
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado industriales
• Apto para módulos de conversión de potencia de servidor y telecomunicaciones
• Ideal para etapas de conmutación frontales de accionamiento por motor
• Se utiliza con convertidores dc-dc que requieren un manejo de alta potencia
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado industriales
• Apto para módulos de conversión de potencia de servidor y telecomunicaciones
¿Qué entorno térmico puede tolerar durante el funcionamiento?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite el despliegue en condiciones térmicas exigentes cuando se combina con una gestión térmica adecuada.
¿Cómo admite el paquete la implementación a nivel de placa?
El formato de montaje en superficie PowerPAK 8x8 proporciona un tamaño de perfil bajo con una disposición de cuatro pines adecuada para el montaje automatizado y el enrutamiento térmico eficiente de PCB.
¿Cuál es el modo de canal y sus implicaciones para el diseño de circuitos?
Se trata de un dispositivo de canal N de modo de mejora, por lo que requiere una unidad de puerta a fuente positiva para encender, lo que permite topologías de conmutación de lado alto o lado bajo sencillas con controladores de puerta adecuados.
¿Hay consideraciones ambientales o normativas?
El componente cumple las restricciones de materiales RoHS, lo que indica que está libre de determinadas sustancias restringidas para diseños basados en el cumplimiento.
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