MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 60 V, ID 650 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
267-2292P
Referência do fabricante:
BSS670T116
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

650A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS670

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.68Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

60V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

350W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El ROHM BSS670 es un MOSFET de 60 V y 650 mA de un canal N y el diodo de protección ESD está incluido en el encapsulado SST3. Este producto es ideal para aplicaciones de controlador de relés, circuito de conmutación e interruptor de carga de lado bajo.

Conmutación muy rápida

Accionamiento de tensión ultrabaja

Protección ESD hasta 2 kV

Sin halógenos

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