MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines

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Código RS:
265-5421
Referência do fabricante:
R6055VNZC17
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-3PF

Serie

R6055VNZ

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.071Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

99W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free Plating, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles.

Tiempo de recuperación inverso rápido (trr)

Baja resistencia de encendido

Velocidad de conmutación rápida

Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos

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