MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 265-5417
- Referência do fabricante:
- R6013VNXC7G
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 265-5417
- Referência do fabricante:
- R6013VNXC7G
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | R6013VNX | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 54W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie R6013VNX | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 54W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles.
Tiempo de recuperación inverso rápido (trr)
Baja resistencia de encendido
Velocidad de conmutación rápida
Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos
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