MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP5335K1-G, VDSS 350 V, ID -200 mA, MOSFET, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
264-8932
Referência do fabricante:
TP5335K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

350V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Modo de canal

MOSFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.36W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de modo de mejora (normalmente apagado) de umbral bajo de canal P de Microchip utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Alta impedancia de entrada y alta ganancia

Requisito de accionamiento de baja potencia

Fácil paralelización

Velocidades de conmutación CISS bajas y rápidas

Excelente estabilidad térmica

Diodo de drenaje de fuente integrado

Libre de averías secundarias

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