MOSFET, Tipo N-Canal Microchip TN5335K1-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, MOSFET, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
264-8925
Referência do fabricante:
TN5335K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

230mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

350V

Serie

TN5335

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15Ω

Modo de canal

MOSFET

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.8V

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Longitud

2.9mm

Anchura

1.3 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Microchip de modo de mejora de umbral bajo (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Umbral bajo

Alta impedancia de entrada

Baja capacitancia de entrada

Velocidades de conmutación rápidas

Baja resistencia de conexión

Libre de averías secundarias

Baja fuga de entrada y salida

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