MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ6E030ATTCR, VDSS 30 V, ID -3 A, Mejora, SOT-457 de 6 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
264-3831
Referência do fabricante:
RQ6E030ATTCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOT-457

Serie

RQ6E030AT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

91mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.25W

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-free lead plating

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TH
El MOSFET de potencia media de ROHM es un MOSFET de encapsulado pequeño de montaje superficial, con chapado de cable sin plomo y cumple con RoHS.

Baja resistencia

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