MOSFET, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 30 V, ID -0.25 A, Mejora, SOT-416 de 3 pines
- Código RS:
- 264-3819
- Referência do fabricante:
- RE1E002SPTCL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 264-3819
- Referência do fabricante:
- RE1E002SPTCL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -0.25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-416 | |
| Serie | RE1E002SP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -0.25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-416 | ||
Serie RE1E002SP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- TH
Los MOSFET de ROHM están fabricados como una resistencia de encendido ultrabaja gracias a las tecnologías de microprocesamiento adecuadas para equipos móviles para un bajo consumo de corriente. Disponibles en una amplia gama que incluyen tipo compacto, tipo de alta potencia y tipo complejo para dar respuesta a las demandas en el mercado.
Tipo de accionamiento de 4 V
MOSFET de pequeña señal Pch
Encapsulado pequeño de montaje superficial
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