MOSFET, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 45 V, ID 16 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 264-3806
- Referência do fabricante:
- RD3H160SPTL1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 264-3806
- Referência do fabricante:
- RD3H160SPTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 45V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | RD3H160SP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 20W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.8mm | |
| Certificaciones y estándares | Pb-free lead plating, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 45V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie RD3H160SP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 20W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.8mm | ||
Certificaciones y estándares Pb-free lead plating, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de ROHM con baja resistencia de encendido, adecuado para conmutación, circuitos de accionamiento sencillos, chapado sin plomo y conforme con RoHS.
Velocidad de conmutación rápida
El uso en paralelo es fácil
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