MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
264-3776P
Referência do fabricante:
R6004END3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

R6004END3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.98Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

59W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de bajo ruido de ROHM es adecuado para fuentes de alimentación de conmutación, tiene baja resistencia de encendido, bajo ruido de radiación y chapado sin plomo y cumple con RoHS.

Conmutación rápida

El uso en paralelo es fácil

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