MOSFET, N-Canal Infineon IRFU4510PBF, VDSS 100 V, ID 63 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 262-6779
- Referência do fabricante:
- IRFU4510PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 262-6779
- Referência do fabricante:
- IRFU4510PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 143W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Altura | 2.39mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 143W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.22mm | ||
Altura 2.39mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon proporciona ventajas como una puerta mejorada, resistencia de avalancha y dV/dt dinámica, así como capacitancia y SOA de avalancha completamente caracterizados.
Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada
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