MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR9024NTRLPBF, VDSS -55 V, ID -11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 262-6770
- Número do artigo Distrelec:
- 304-41-678
- Referência do fabricante:
- IRFR9024NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 262-6770
- Número do artigo Distrelec:
- 304-41-678
- Referência do fabricante:
- IRFR9024NTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 175mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 175mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
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