MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 210 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 262-6721
- Referência do fabricante:
- IRF2204PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 262-6721
- Referência do fabricante:
- IRF2204PBF
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 210A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 210A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este diseño tiene características adicionales como temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada.
Resistencia de conexión ultrabaja
Valor nominal dv/dt dinámico
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax
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