MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB029N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 262-5859
- Referência do fabricante:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*preço indicativo
- Código RS:
- 262-5859
- Referência do fabricante:
- IPB029N06NF2SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia de canal N de Infineon está optimizado para una amplia gama de aplicaciones y se ha probado al 100 por ciento contra avalanchas.
Chapado de cable sin plomo
Conformidad con RoHS
Sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
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