MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics, VDSS 95 V, LBB de 5 pines
- Código RS:
- 261-5583
- Referência do fabricante:
- RF5L15120CB4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 100 unidades)*
17 759,90 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 177,599 € | 17 759,90 € |
| 200 - 200 | 173,045 € | 17 304,50 € |
| 300 + | 168,719 € | 16 871,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 261-5583
- Referência do fabricante:
- RF5L15120CB4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 95V | |
| Encapsulado | LBB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 28.95mm | |
| Anchura | 5.85 mm | |
| Certificaciones y estándares | 2002/95/EC | |
| Altura | 2.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 95V | ||
Encapsulado LBB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 28.95mm | ||
Anchura 5.85 mm | ||
Certificaciones y estándares 2002/95/EC | ||
Altura 2.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El FET LDMOS de 120 W de STMicroelectronics, diseñado para comunicaciones comerciales de banda ancha, radiodifusión de TV, aeronáutica y aplicaciones industriales con frecuencias de HF a 1,5 GHz. Se puede utilizar en clase AB/B y clase C para todos los formatos de modulación típicos.
Operaciones de alta eficiencia y ganancia lineal
Protección contra ESD integrada
Amplio rango de tensión de fuente o puerta positiva y negativa
Excelente estabilidad térmica, baja deriva HCI
Links relacionados
- MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics RF5L15120CB4, VDSS 95 V, LBB de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 90 V, LBB, Mejora de 5 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics RF3L05250CB4, VDSS 90 V, LBB, Mejora de 5 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL105N8F7AG, VDSS 80 V, ID 95 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 95 A, H2PAK, Reducción de 7 pines
- MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
