MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 125 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
- Código RS:
- 261-5530
- Referência do fabricante:
- STL120N10F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 261-5530
- Referência do fabricante:
- STL120N10F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 125A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 125A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia STripFET F8 de modo de mejora de canal N de nivel estándar de 100 V, 4,6 mOhm máx., 125 A en un encapsulado PowerFLAT 5x6
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics utiliza la tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada.;Garantiza una resistencia en estado activo muy baja al tiempo que reduce las capacitaciones internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.