MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, ID 20 A, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
261-5482
Referência do fabricante:
STD65N160M9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.1mm

Anchura

6.6 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de tensión media/alta con RDS(on) muy bajo por área. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada.

Valor nominal VDSS superior

Excelente rendimiento de conmutación

Fácil de manejar

100 % probado contra avalanchas

Protección Zener

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