MOSFET, N-Canal Infineon IRFP3006PBF, VDSS 60 V, ID 270 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 260-5869
- Número do artigo Distrelec:
- 302-84-049
- Referência do fabricante:
- IRFP3006PBF
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|
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- Código RS:
- 260-5869
- Número do artigo Distrelec:
- 302-84-049
- Referência do fabricante:
- IRFP3006PBF
- Fabricante:
- Infineon
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 270A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 200nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Altura | 20.7mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 270A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 200nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.31mm | ||
Altura 20.7mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 270 A, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V - IRFP3006PBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Qué rendimiento térmico cabe esperar en condiciones de funcionamiento continuo?
¿Cómo contribuye la tensión umbral de puerta a su rendimiento en los circuitos?
¿Qué implicaciones tiene la baja Rds(on) para la eficiencia del circuito?
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