MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 174 A, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 260-2675
- Referência do fabricante:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-2675
- Referência do fabricante:
- IPTG044N15NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 174A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.4mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 174A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon se suministra en el encapsulado con cable TO mejorado con cables Gullwing que tienen una huella compatible con TO sin cable que permite un excelente rendimiento eléctrico. Se trata de la mejor tecnología de su clase con una corriente nominal alta.
Bajo nivel de sonido acústico y exceso de tensión
Capacidad de alto rendimiento
Alta fiabilidad del sistema
Alta eficiencia y EMI inferior
Aprovechamiento de placa optimizado
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