MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 950 V, ID 14 A, TO-251 de 3 pines
- Código RS:
- 258-3904
- Referência do fabricante:
- IPU95R450P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3904
- Referência do fabricante:
- IPU95R450P7AKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | TO-251 | |
| Serie | IPU | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado TO-251 | ||
Serie IPU | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon 950V CoolMOS P7 proporciona un rendimiento excepcional en términos de eficiencia, comportamiento térmico y facilidad de uso. Al igual que todos los demás miembros de la familia P7, la serie CoolMOS P7 de 950 V se suministra con una protección ESD de diodo Zener integrada. El diodo integrado mejora considerablemente la robustez de ESD, lo que reduce la pérdida de rendimiento relacionada con ESD y alcanza niveles excepcionales de facilidad de uso. El CoolMOS P7 se ha desarrollado con el mejor VGS(th) de su clase de 3 V y una tolerancia estrecha de solo ±0,5 V, lo que facilita el control y el diseño.
Permite diseños de mayor densidad de potencia, ahorro de BOM y menor coste de montaje
Fácil de usar y de diseñar
Mejor rendimiento de producción mediante la reducción de fallos relacionados con ESD
Menos problemas de producción y menor retorno de campo
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