MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N10S4L22AATMA1, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Doble N de 8 pines, config. Modo de
- Código RS:
- 258-3883
- Referência do fabricante:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
3,03 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 4948 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,515 € | 3,03 € |
| 20 - 48 | 1,365 € | 2,73 € |
| 50 - 98 | 1,27 € | 2,54 € |
| 100 - 198 | 1,18 € | 2,36 € |
| 200 + | 1,10 € | 2,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3883
- Referência do fabricante:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Doble N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Doble N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal N doble. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC Q101
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 20 A, TDSON, Doble N de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel lógico
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11ATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S4L08AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S4L11AATMA1, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de
- MOSFET Infineon, Doble N-Canal IPG20N06S4L11ATMA2, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, config. Modo de mejora del nivel lógico de doble canal N
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 2, config. Modo de mejora
- MOSFET Infineon, Doble N-Canal, VDSS 60 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Modo de mejora del nivel lógico de