MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD60R210PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 42 A, N, TO-252

El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V en un encapsulado TO-252 DPAK dispone de RDS(on) de 210 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el encapsulado SMD líder del sector de Infineon reducen el espacio en PCB y, a su vez, la factura de material del cliente. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de muy alta densidad, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia. El CoolMOS PFD7 de 600 V ofrece una eficiencia de carga completa y ligera mejorada sobre las tecnologías CoolMOS P7 y CE MOSFET, lo que da lugar a un aumento de la densidad de potencia de 1,8 W/pulg.3.

Excelente resistencia de conmutación