MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 260 A, P, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
258-3783
Referência do fabricante:
IPB015N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

260A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.86V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

178nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia industrial Infineon OptiMOS 5 de 80 V ofrece una reducción de RDS(on) del 43 % en comparación con las generaciones anteriores y es ideal para altas frecuencias de conmutación. Los dispositivos de esta familia están especialmente diseñados para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de servidor y telecomunicaciones. Además, también se pueden utilizar en otras aplicaciones industriales como accionamientos solares, de baja tensión y adaptadores.

Pérdidas de conmutación y conducción reducidas

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Desviación de tensión baja

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