MOSFET, N-Canal Infineon IMZ120R060M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, N, TO-247
- Código RS:
- 258-3764
- Referência do fabricante:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 5 para poupar 5%
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
10,36 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 47 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 10,36 € | - |
| 5 - 9 | 9,84 € | 5% |
| 10 - 24 | 9,43 € | 8% |
| 25 - 49 | 9,01 € | 13% |
| 50 + | 8,40 € | 18% |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-3764
- Referência do fabricante:
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.8mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 5.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.8mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 5.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SiC CoolSiC de 1.200 V y 60 mΩ de Infineon en encapsulado TO247-4 se basa en un proceso de semiconductor de trinchera de última generación optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET SiC ofrece una serie de ventajas. Estos incluyen, los niveles de carga de puerta y capacitancia de dispositivo más bajos observados en interruptores de 1.200 V, ninguna pérdida de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interno, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado encendido sin umbral. Los MOSFET CoolSiC son ideales para topologías de conmutación rígida y resonante como circuitos de corrección de factor de potencia, topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con calificación para conmutación rígida
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Eficiencia más alta
Esfuerzo de refrigeración reducido
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZ120R060M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, N, TO-247
- MOSFET, N-Canal Infineon IMW120R350M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 4.7 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon AIMW120R080M1XKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZ120R220M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 13 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZ120R045M1XKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 52 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZ120R090M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMZ120R140M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 19 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon IMW120R060M1HXKSA1, VDSS 1.2 kV, ID 36 A, Mejora, TO-247 de 3 pines