MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ018N04LS6ATMA1, VDSS 40 V, ID 158 A, N, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0710
- Referência do fabricante:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0710
- Referência do fabricante:
- BSZ018N04LS6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 158A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 0.78V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 158A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 0.78V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia Infineon OptiMOS 6 de 40 V está optimizada para una gran variedad de aplicaciones y circuitos, como la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado en servidores, ordenadores de sobremesa, cargadores inalámbricos, cargadores rápidos y circuitos ORing. Las mejoras en la resistencia de estado activo permiten a los diseñadores aumentar la eficiencia, lo que facilita el diseño térmico y reduce el paralelismo, lo que reduce los costes del sistema.
Eficiencia del sistema más alta
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia
Sobrecarga de tensión muy baja
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