MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 110 A, TO-263
- Código RS:
- 257-9439
- Referência do fabricante:
- IRFS7540TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9439
- Referência do fabricante:
- IRFS7540TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.1mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 88nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.1mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 88nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFS de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de canal n simple de 60 V en un encapsulado D2 Pak sin plomo.
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 10 V (llamado nivel normal)
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capacidad de soldadura por ola
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