MOSFET, N-Canal Infineon IRFB7440PBF, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-220

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 50 para poupar 13%

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

10,91 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 165 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
Poupança
5 - 452,182 €10,91 €-
50 - 1201,896 €9,48 €13%
125 - 2451,766 €8,83 €19%
250 - 4951,654 €8,27 €24%
500 +1,526 €7,63 €30%

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
257-9360
Número do artigo Distrelec:
304-40-528
Referência do fabricante:
IRFB7440PBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.50mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

+175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 120 A - IRFB7440PBF


Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de orificio pasante diseñado para aplicaciones de potencia de alta corriente. Funciona en un amplio rango de temperaturas y cumple las restricciones ambientales de la directiva RoHS. El encapsulado facilita el montaje en superficies de disipación térmica para la gestión de la disipación de potencia y el montaje discreto en circuitos convencionales.

Características y ventajas:


• Rds(on) baja de 2,50 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Límite de drenaje-fuente de 40 V que permite sistemas de media tensión
• Manejo de corriente continua de 120 A para cargas sostenidas
• Funcionamiento de canal de mejora para un control de puerta sencillo
• Tensión directa de 1,3 V que admite una conducción de diodo de cuerpo eficiente

Aplicaciones


• Adecuado para el uso de MOSFET de alta corriente en fuentes de alimentación
• Ideal para MOSFET en controladores de motor (40 V, 120 A)
• Se utiliza con diseños de MOSFET de canal N de orificio pasante TO‐220 de 40 V
• Se puede utilizar como reemplazo de MOSFET HEXFET de 2,5 mΩ de Rds(on) bajo
• Se emplea en circuitos que requieren funcionamiento MOSFET de alta temperatura (-55 °C a 175 °C)

¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?


Funciona entre –55 y 175 °C, cubriendo arranques a baja temperatura y funcionamiento a alta temperatura.

¿Qué método de montaje es necesario para la gestión térmica?


Se suministra en un encapsulado de orificio pasante TO‐220 diseñado para su fijación a disipadores externos o chasis.

¿Qué tipo de canal y modo de conmutación utiliza?


El dispositivo es un transistor de modo de mejora de canal N que requiere una unidad de fuente de puerta para conducir.

¿Es adecuado para instalaciones cualificadas para automoción?


No se especifica que cumpla las normas de automoción y debe evaluarse en función de los requisitos específicos del vehículo.

¿Cumple los requisitos de la directiva medioambiental?


Cumple la directiva RoHS, lo que indica la restricción de determinadas sustancias peligrosas.

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.