MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 95 A, TO-220
- Código RS:
- 257-9285
- Referência do fabricante:
- IRF40B207
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9285
- Referência do fabricante:
- IRF40B207
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 95A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 95A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia IRFET de un canal n de 40 V en un encapsulado sin plomo TO 220AB. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc. Las aplicaciones finales incluyen herramientas de alimentación y jardinería inalámbricas, vehículos eléctricos ligeros y bicicletas eléctricas que requieren un alto nivel de resistencia y eficiencia energética.
Corriente nominal alta
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
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