MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 79 A, TO-220

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*

507,20 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 2400 unidade(s) para enviar a partir do dia 29 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
800 +0,634 €507,20 €

*preço indicativo

Código RS:
257-9267
Referência do fabricante:
IRF1018ESTRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

79A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.4mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 60 V en un encapsulado D2 Pak.

Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico

SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.