MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 79 A, TO-220

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Código RS:
257-9267
Referência do fabricante:
IRF1018ESTRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

79A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.4mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia HEXFET de un canal n de 60 V en un encapsulado D2 Pak.

Mejora de la resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámico

SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado

Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada

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