MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIB452DK-T1-GE3, VDSS 190 V, ID 1.5 A, PowerPAK de 6 pines
- Código RS:
- 256-7409
- Referência do fabricante:
- SIB452DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7409
- Referência do fabricante:
- SIB452DK-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 190V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 190V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de canal N de Vishay Semiconductor con su nuevo encapsulado powerPAK SC-75 mejorado térmicamente tiene un área de huella pequeña y baja resistencia de conexión.
MOSFET de potencia TrenchFET
La aplicación es el convertidor de impulso para dispositivos portátiles
Sin plomo (Pb) y sin halógenos
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