MOSFET, N-Canal Vishay SIA108DJ-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 6.6 A, PowerPAK de 6 pines

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Código RS:
256-7400
Referência do fabricante:
SIA108DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

800μm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal N de 80 V (D-S) de Vishay Semiconductor su aplicación son interruptores laterales primarios, dc, convertidor dc, interruptor de accionamiento de motor, convertidor de impulso, retroiluminación de LED.

MOSFET de potencia TrenchFET gen IV

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