MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 1.8 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2 403,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,801 €2 403,00 €

*preço indicativo

Código RS:
256-7386
Referência do fabricante:
SI7464DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

El mosfet de conmutación rápida de 200 V (D-S) de canal N de Vishay Semiconductor de 1,8 A (Ta) 1,8 W (Ta) de montaje superficial su aplicación es un interruptor lateral principal.

Mosfets de potencia TrenchFET

Nuevo powerPAK de baja resistencia térmica

encapsulado con perfil bajo de 1,07 mm

PWM optimizado para conmutación rápida

Links relacionados