MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 10.7 A, Mejora, PowerDI5060-8
- Código RS:
- 254-8639
- Referência do fabricante:
- DMPH33M8SPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 254-8639
- Referência do fabricante:
- DMPH33M8SPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | PowerDI5060-8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 127nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado PowerDI5060-8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 127nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal P de DiodeZetex se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es aplicable en aplicaciones de uso general
Baja resistencia de conexión, alta energía de conversión, sin halógenos ni antimonio
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