MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 42.8 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 252-0277
- Referência do fabricante:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 252-0277
- Referência do fabricante:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 6.15mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 6.15mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
RDS muy bajo - valor de mérito (FOM) Qg
Sintonizado para el RDS más bajo - FOM Qoss
100 % comprobación Rg y UIS
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