MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR90-50SLHAX, VDSS 50 V, ID 0.41 A, Mejora, LFPAK88 de 4 pines

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Código RS:
251-7923
Referência do fabricante:
PSMNR90-50SLHAX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

LFPAK88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

112nC

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

8.1mm

Anchura

1.7 mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de modo de mejora de canal N de 410 amperios de corriente continua y accionamiento de puerta de nivel lógico en un encapsulado LFPAK88 de 175 °C. Forma parte de la familia de ASFETs para el aislamiento de baterías y el control de motores de corriente continua y utiliza la tecnología "SchottkyPlus" exclusiva de Nexperia, que ofrece un alto rendimiento y un bajo nivel de picos de corriente, normalmente asociados a los MOSFETs con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada.

Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)

Certificado hasta 175 °C

Clasificado para avalancha, probado al 100 %

QG, QGD y QOSS bajos para una alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación más altas

Conmutación ultrarrápida con recuperación suave del cuerpo del diodo para un bajo nivel de picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI

VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el reparto de la corriente

Características de modo lineal/área de operación segura muy fuertes para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente

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