MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 50 V, ID 0.41 A, Mejora, LFPAK88 de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

6 506,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 26 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2000 +3,253 €6 506,00 €

*preço indicativo

Código RS:
251-7922
Referência do fabricante:
PSMNR90-50SLHAX
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

LFPAK88

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

112nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

8.1mm

Anchura

1.7 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de modo de mejora de canal N de 410 amperios de corriente continua y accionamiento de puerta de nivel lógico en un encapsulado LFPAK88 de 175 °C. Forma parte de la familia de ASFETs para el aislamiento de baterías y el control de motores de corriente continua y utiliza la tecnología "SchottkyPlus" exclusiva de Nexperia, que ofrece un alto rendimiento y un bajo nivel de picos de corriente, normalmente asociados a los MOSFETs con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada.

Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)

Certificado hasta 175 °C

Clasificado para avalancha, probado al 100 %

QG, QGD y QOSS bajos para una alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación más altas

Conmutación ultrarrápida con recuperación suave del cuerpo del diodo para un bajo nivel de picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI

VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el reparto de la corriente

Características de modo lineal/área de operación segura muy fuertes para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente

Links relacionados

Recently viewed