MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS670S2LH6433XTMA1, VDSS 55 V, ID 0.54 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0560
- Referência do fabricante:
- BSS670S2LH6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 250-0560
- Referência do fabricante:
- BSS670S2LH6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | BSS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie BSS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon fabrica este convertidor reductor OptiMOS de modo de mejora de canal N. Tiene una clasificación de avalancha y no contiene halógenos.
VDS es de 55 V, Rds(on) es de 650 mΩ e Id es de 0,54 A
Sin halógenos
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 0.54 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 540 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSS670S2LH6327XTSA1, VDSS 55 V, ID 540 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines