MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSR802NL6327HTSA1, VDSS 40 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0540
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-497
- Referência do fabricante:
- BSR802NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
0,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1050 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,12 € | 0,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 250-0540
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-497
- Referência do fabricante:
- BSR802NL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSR | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSR | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon fabrica este transistor de señal pequeña Optimos 2. Se trata de un transistor de modo de mejora de canal P ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.
Nivel lógico (valor nominal de 4,5 V)
Clasificación de avalancha y 100 % sin plomo
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP650P06NMXTSA1, VDSS 60 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 70 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex ZXMP10A18GTA, VDSS 100 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex ZXMP7A17GTA, VDSS 70 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines