MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP316PH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 0.68 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0536
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-496
- Referência do fabricante:
- BSP316PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0536
- Número do artigo Distrelec:
- 304-40-496
- Referência do fabricante:
- BSP316PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSP | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSP | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Infineon fabrica este Mosfet con modo de mejora, de canal P y transistor de señal pequeña SIPMOS. El dispositivo es un transistor de modo de mejora de canal P con valor nominal dv/dt ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.
Vds es de 100 V, RDS(on) es de 1,8 Ω e ID es de 0,68 A
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
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