MOSFET Infineon IMBG120R220M1HXTMA1, VDSS 1200 V, ID 18 A, TO-263-7 de 7 pines

MOSFET de carburo de silicio de Infineon para la reducción de la complejidad del sistema. Se acciona directamente desde el controlador de retorno en cero. Mejora de la eficiencia y reducción del esfuerzo de refrigeración. Permite una frecuencia más alta.

Pérdidas de conmutación muy bajas
Tiempo de resistencia de cortocircuito de 3 μs
dV/dt completamente controlable
Tensión de umbral de compuerta de referencia, VGS(th) = 4,5 V
Robusto contra encendido parasitario, se puede aplicar tensión de compuerta de desconexión de 0 V
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Tecnología de interconexión XT para el mejor rendimiento térmico
Distancia de frotamiento y huelgo de encapsulado de >6,1 mm
Pin de detección para conseguir un rendimiento de conmutación optimizado