MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 1200 V, ID 18 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
249-6953
Referência do fabricante:
IMBG120R220M1HXTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

IMBG

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET de carburo de silicio de Infineon para la reducción de la complejidad del sistema. Se acciona directamente desde el controlador de retorno en cero. Mejora de la eficiencia y reducción del esfuerzo de refrigeración. Permite una frecuencia más alta.

Pérdidas de conmutación muy bajas

Tiempo de resistencia de cortocircuito de 3 μs

dV/dt completamente controlable

Tensión de umbral de compuerta de referencia, VGS(th) = 4,5 V

Robusto contra encendido parasitario, se puede aplicar tensión de compuerta de desconexión de 0 V

Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura

Tecnología de interconexión XT para el mejor rendimiento térmico

Distancia de frotamiento y huelgo de encapsulado de >6,1 mm

Pin de detección para conseguir un rendimiento de conmutación optimizado

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