MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 52 A, N, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
248-6663
Referência do fabricante:
IMW120R007M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-247

Serie

IMW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET SiC de 1.200 V, 7 mΩ de Infineon CoolSiC en encapsulado TO247-3 se basa en un proceso de semiconductores de tipo trinchera de vanguardia optimizado para combinar rendimiento con fiabilidad, entre los que se incluyen, los niveles de capacidad de dispositivo y carga de puerta más bajos que se ven en conmutadores de 1.200 V, sin pérdidas de recuperación inversa del diodo de cuerpo a prueba de conmutación interna, pérdidas de conmutación bajas independientes de temperatura y característica de estado encendido sin umbral. Los MOSFET CoolSiC son ideales para topologías de conmutación duras y resonantes como circuitos de corrección de factor de potencia (PFC), topologías bidireccionales y convertidores dc-dc o inversores dc-ac.

VDSS - 1.200 V a T - 25 °C

IDCC - 225 A a T - 25 °C

RDS(on) - 7 mohm a VGS - 18 V, T - 25 °C

Pérdidas de conmutación muy bajas

Tensión de umbral de puerta de referencia, VGS(th) - 4,2 V

Robusto contra activación parasitaria, se puede aplicar tensión de puerta de desconexión de 0 V

Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura

Tecnología de interconexión XT para el mejor rendimiento térmico de su clase

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