MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN6069SFVW-7, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, PowerDI3333-8 de 8 pines
- Código RS:
- 246-7519
- Referência do fabricante:
- DMN6069SFVW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerDI3333-8 | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.85mm | |
| Longitud | 2.7mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerDI3333-8 | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.85mm | ||
Longitud 2.7mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado powerDI3333-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V La tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V Ofrece un diseño pequeño y el encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad Ofrece un diseño pequeño El encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad Flanco humedecible para mejorar las inspecciones ópticas
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