MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 101 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

52,25 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
50 - 501,045 €52,25 €
100 - 4500,893 €44,65 €
500 - 9500,87 €43,50 €
1000 +0,849 €42,45 €

*preço indicativo

Código RS:
246-6864
Referência do fabricante:
DMT10H9M9LCT
Fabricante:
DiodesZetex
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

101A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.014Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.73W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.66mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

31.24mm

Anchura

4.82 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El DiodesZetex crea un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) manteniendo al mismo tiempo un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado TO220AB. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una resistencia de conexión baja Tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada

Links relacionados

Recently viewed