MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 11 A, Mejora, UDFN-2020 de 6 pines
- Código RS:
- 246-6803
- Referência do fabricante:
- DMN29M9UFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- 246-6803
- Referência do fabricante:
- DMN29M9UFDF-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | UDFN-2020 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 41mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.63mm | |
| Longitud | 2.05mm | |
| Anchura | 2.05 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado UDFN-2020 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 41mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.63mm | ||
Longitud 2.05mm | ||
Anchura 2.05 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado U-DFN2020-6 y un perfil de 0,6 mm que lo convierte en ideal para aplicaciones de perfil bajo. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±12 V. Tiene un tamaño de PCB de 4 mm^2. Ofrece una tensión de umbral de puerta baja Proporciona una puerta protegida contra ESD
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