MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- Código RS:
- 246-6796
- Referência do fabricante:
- DMN2451UFB4-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 10000 unidades)*
530,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 28 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,053 € | 530,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 246-6796
- Referência do fabricante:
- DMN2451UFB4-7B
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | X2-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 900mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.4mm | |
| Longitud | 1.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado X2-DFN | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 900mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.4mm | ||
Longitud 1.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado U-DFN1006-3 y un perfil de 0,6 mm que lo convierte en ideal para aplicaciones de perfil bajo. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±12 V. Tiene un tamaño de PCB de 4 mm^2. Ofrece una tensión de umbral de puerta baja Proporciona una puerta protegida contra ESD
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN2451UFB4-7B, VDSS 20 V, ID 1 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 1.3 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN2300UFB4-7B, VDSS 20 V, ID 1.3 A, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 12 V, ID 500 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 510 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 540 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 30 V, ID 410 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 30 V, ID 200 mA, Mejora, X2-DFN de 3 pines