MOSFET DiodesZetex, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, SOIC, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 246-6779
- Referência do fabricante:
- DMHC4035LSDQ-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-6779
- Referência do fabricante:
- DMHC4035LSDQ-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.058Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.058Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex es un MOSFET de puente H complementario de nueva generación, que dispone de baja resistencia de conexión que se puede lograr con accionamiento de puerta bajo. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SO-8. Ofrece conmutación rápida y baja capacitancia de entrada. Tiene un rango de temperaturas de funcionamiento de -55 °C a +150 °C.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 40 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. 2 canales N y 2 canales P en un encapsulado SOIC Ofrece baja resistencia de conexión
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