MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 1.2 V, ID 10.3 A, N, DFN0806-3 de 3 pines
- Código RS:
- 244-0120
- Referência do fabricante:
- RV1C002UNT2CL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 244-0120
- Referência do fabricante:
- RV1C002UNT2CL
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2V | |
| Encapsulado | DFN0806-3 | |
| Serie | RV1C002UN | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.7mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2V | ||
Encapsulado DFN0806-3 | ||
Serie RV1C002UN | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.7mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-free lead plating | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de ROHM tiene un diodo de protección ESD integrado y se suministra con un encapsulado VML0806 ultrapequeño. Tiene un rango de temperatura de almacenamiento de 55 °C a 155 °C y es adecuado para rectificación general.
Tipo de accionamiento de baja tensión (1,2V V)
El encapsulado ultrapequeño (tamaño 0806)
Para equipo parable.
Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos.
Diodo de protección ESD integrado.
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